“中國材料大會2021”先進微電子與光電子材料分會成功舉辦

來源：

ICMtia

2021/07/20

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2021年7月8日至11日，“中國材料大會2021”在福建省廈門市國際會展中心隆重舉行。這次大會是在建黨100周年，全面開啟“十四五”新征程關鍵時期召開的新材料領域的重大會議，是材料學科領域最前沿最高端的一次大會。大會設置有51個分會、3個分論壇。主題涵蓋能源材料、環境材料、半導體材料、超導材料、高分子材料、高性能纖維及其復合材料、高溫合金、超硬材料、生物醫用材料、智能材料等材料前沿研究領域。全國1.2萬新材料科技工作者和青年學者齊聚一堂，共同探討學術發展前沿，碰撞智慧火花。

由集成電路材料產業技術創新聯盟承辦，中科院上海微系統與信息技術研究所和北京多維電子材料技術開發與促進中心共同支持的“先進微電子與光電子材料分會場”同期舉行。廣東省人民政府副省長王曦院士擔任“先進微電子與光電子材料分會場”主席，香港中文大學汪正平院士作為分會場名譽主席，浙江大學楊德仁院士、ASML林慶煌博士和中科院微電子研究所趙超研究員共同擔任分會場副主席。受王曦院士委托，趙超研究員代表王曦院士致分會場開幕詞。本次“先進微電子與光電子材料分會場”共有主題演講1個、邀請報告13個、口頭報告17個，墻報19個，參會人數超過80人，報告內容涵蓋了微電子與光電子材料領域的各個領域，包括： MRAM、FRAM、PCRAM和RRAM等新型存儲材料；Ge、Si、SOI、GOI和化合物半導體等襯底材料；新型顯示材料和其它應用于集成電路和光電器件制造用材料；先進封裝材料；碳納米管、石墨烯等碳基功能材料；CN3等新型二維材料；材料檢測技術與方法；材料設計理論與計算模擬等。

浙江大學的俞濱教授做了題為“二維材料在后摩爾電子學的應用”的主題演講。俞教授介紹了集成電路隨著摩爾定律的發展歷程，認為現在已經進入后摩爾時代，指出了硅基微電子材料的局限，提出二維材料在后摩爾電子學方面的一些潛在的應用，認為異質集成與一體化設計越來越重要。

中科院上海微系統與信息技術研究所的宋志棠研究員為大家做了題為“高速低功耗相變存儲材料與應用”的邀請報告。宋志棠研究員認為隨著5G、人工智能、物聯網、智能汽車的飛速發展，數據量爆發式增長，需要有海量存儲技術和新型架構來解決目前的“存儲墻”問題，而相變存儲器是最具潛力的下一代海量存儲技術。宋志棠研究員介紹了團隊近年來在新型相變材料開發、相變材料高速可逆相變機理、新型OTS選通管材料、相變存儲器工藝集成和相變存儲器產品開發方面的系統性研究工作。

清華大學的楊軼副教授為大家做了題為“基于鉿系材料的非易失鐵電存儲器”的邀請報告，楊教授認為鉿系鐵電材料相比于傳統鐵電材料具有于兼容CMOS工藝、集成度高等優勢，更加適用于新型的鐵電存儲器?；阢x系鐵電材料的FeFET已經實現低至10 nm工藝節點，可實現Mbit級存儲、3D堆疊等技術?；阢x系鐵電材料的FeFET在新型存儲、存算一體以及類腦計算等領域有著廣闊的發展前景。

哈爾濱工業大學的胡平安教授為大家做了題為“二維壓電材料及柔性器件”的邀請報告，胡平安教授認為二維壓電材料具有優異的光電性能及壓光電耦合性能，相比于傳統壓電材料具有柔韌性、兼容CMOS工藝、易于加工集成等優勢，適用于新型的自驅動光電探測器和柔性電子皮膚器件?；谙嗯R層極化同向的二維壓電材料的發現及二維壓電晶疇的有效調控，實現了高性能自驅動光電探測器及高靈敏電子皮膚器件。二維壓電材料柔性器件在低功耗傳感、機器人及人工智能等領域有著廣闊的發展前景。

廈門大學的于大全教授在“先進封裝中的新材料挑戰”的邀請報告中，介紹了先進封裝技術的發展歷程。隨著集成電路應用多元化，新興領域對先進封裝提出更高要求，先進封裝目前越來越成為延續和拓展摩爾定律的重要手段。高密度TSV技術/Fan-Out扇出技術由于其靈活、高密度、適于系統集成，成為目前先進封裝的核心技術。于教授認為我國集成電路封裝材料和技術與國際先進水平有較大差距，技術發展滯后，需要進行產學研用協同創新，加快創新步伐，降低創新成本?！胺庋b企業+裝備企業+材料企業+科研機構”協同創新具有緊迫性，需要組織協同攻關，以應對后摩爾時代的全球技術挑戰。

復旦大學的劉冉教授為大家做了題為“基于選區生長的有機功能材料微納圖案及器件陣列制備技術”的邀請報告，針對傳統無機方法和現有有機方法存在的缺點，劉教授團隊開發了真空與液相的原位監控研究設備，開展高度原創和辨識度的表界面調控研究，并采用新型選區生長方法制備了有機功能材料微納圖案及器件陣列。劉冉教授表示，柔性電子技術具有特有的彎曲性和可延展性，能形成智能包裝、可穿戴健康護理產品等，將成為促成物聯網普及和大規模應用的核心技術。

南方科技大學于洪宇教授在“寬禁帶半導體器件的最新研究進展”的邀請報告中，展示了課題組近年來在寬禁帶半導體器件方面的研究進展。介紹了GaN 工藝技術發展情況，GaN 產品技術發展情況，國際 SiC 產品技術發展情況和我國 SiC 產品技術發展情況。于教授認為以GaN和SiC為代表的國際第三代半導體產業，受政策、資本、技術、市場的“四輪驅動”已經實現了從研發到規模性量產的成功跨越，進入了產業化快速發展階段。

武漢大學郭宇錚教授在“碳化硅的柵氧界面”的邀請報告中，通過計算闡明界面存在顯著的低電子密度層SiOx，發現界面Si-Si結構為過渡氧化物層的主要缺陷結構，同時還可能存在少部分空位缺陷。在SiC熱氧化中，界面碳缺陷的產生不可避免，通過計算發現界面SiC一側的碳碳缺陷對n溝道MOSFET性能有重要影響，因此，碳缺陷的具體結構類型及對界面的影響需重點關注。郭教授認為在界面鈍化過程中，同時引入N源與B源氣體可進一步減少缺陷態。

中科院上海微系統所的蔡艷副研究員為大家做了題為“硅基光電子中的先進封裝工藝和材料”的邀請報告，蔡博士回顧了目前在硅基光電子光電共封裝領域的國內外進展，介紹了微系統所硅光集成課題組在2.5D/3D光電互連領域的最新進展，課題組實現了基于TSV的硅光有源轉接板芯片和三維堆疊的高速鍺探測器芯片。蔡博士認為2.5D/3D光電混合集成是解決未來硅光模塊功耗、成本和性能的關鍵技術。

另外，來自廈門大學的陳孟瑜、有研資源環境技術研究院（北京）有限公司的石志霞、中國建筑材料科學研究總院有限公司的薄鐵柱等17名老師和學生做了精彩的口頭報告，分享了他們的研究成果。
　　來自華東師范大學的黃雅茹獲得了分會最佳墻報獎。本次會議報告非常精彩，會場氣氛熱烈，聽眾提問踴躍，參會代表獲得了充分的交流，對提升我國微電子與光電子材料領域學術水平和技術創新能力起到了積極的促進作用。